大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（I山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思HS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思g>

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。