大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(不积跬步到底读gui还是kui，日积跬步以至千里是啥意思huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)不积跬步到底读gui还是kui，日积跬步以至千里是啥意思将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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