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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存蜗牛是不是昆虫类）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维蜗牛是不是昆虫类(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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