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你是谁为了谁原唱是谁 你是谁为了谁是什么歌名 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn),对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此,网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,20你是谁为了谁原唱是谁 你是谁为了谁是什么歌名21 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A你是谁为了谁原唱是谁 你是谁为了谁是什么歌名股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升(shēng),以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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