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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D 上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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